由于銦的用途越來(lái)越廣，消耗量越來(lái)越大，產(chǎn)出的銦廢料就越來(lái)越多，因而從廢舊含銦廢料中回收金屬銦已成為銦越來(lái)越重要的來(lái)源。含銦廢料中回收銦主要來(lái)源于ITO廢料及廢舊電子器件，ITO廢料是最主要的再生銦生產(chǎn)原料。TTO廢肥材中銅回收工藝可歸結(jié)為以下幾個(gè)階段：(1)酸溶技術(shù)，即將錮從固廢中轉(zhuǎn)移至酸溶液中;(2)采用富集技術(shù)，對(duì)銦進(jìn)行富集;(3)通過(guò)置換(Al/Zn)，形成海綿繃;(4)采用電解或堿煮，提純回收錮濃度。這也是當(dāng)前ITO靶材料中輔國(guó)收的主流工藝，除此之外還有熱還原法，氯化揮發(fā)法等。
酸溶置換法
將TTO廢靶材經(jīng)過(guò)酸浸——過(guò)濾——還原————除雜——堿熔得到99.5%的金屬最后經(jīng)過(guò)電解提純得到4N的金屬銦，銦錫的總回收率達(dá)到93%以上。
酸浸——硫化沉淀法
將ITO廢料浸出后，往浸出液中加入適當(dāng)硫化劑(H2S或Na2S)，可使錮、等到比較完全的分離，而且反應(yīng)可以在較高的溶液酸度和較低的溫度下進(jìn)行。
萃取法
先將ITO中的銦浸出，再通過(guò)萃取和反萃取將銦錫分離，含銦溶液中和置換，得到海綿銦。ITO蝕刻廢液直接經(jīng)兩次萃取，銦、錫的萃取率分別為96.2%和99.1%，之后經(jīng)水反萃，銦、錫的反萃率分別為87.1%和8.2%，成功將銦反萃并實(shí)現(xiàn)銦、錫分離。而后反萃液再經(jīng)萃取和鹽酸反萃取富集，鋁板置換還原出純度為90%的海綿銦。
熱還原法
(1)真空碳熱還原：先將ITO靶材粉碎，以炭粉為還原劑，加入氫氧化鈉造渣，在真空條件下，1000~1100℃還原得到銦錫合金。
(2)直接還原：將ITO廢靶材研磨后置于還原爐中，通入CO/H，還原氣氛還原，在氮?dú)獗Ｗo(hù)下冷卻至室溫，得到銦錫合金;銦錫合金經(jīng)真空蒸餾或電解，可獲得粗銦和粗錫。
氯化揮發(fā)法
將ITO粉碎后與NH4Cl混合，在低真空或空氣中加熱至250~450℃，銦形成易揮發(fā)的InCl3。與錫分離，銦的回收率可達(dá)99%以上。銦產(chǎn)品純度高，InCl3。直接用于金屬銦的提取。
銦提純技術(shù)
真空蒸餾法
在900~1000℃、1.33~0.133Pa下真空蒸餾，粗銦中蒸氣壓較大的雜質(zhì)鎘、鋅、鉈、鉍可揮發(fā)脫除至高純銦要求，鉛也可大部分除去，而銦蒸氣壓較低，揮發(fā)損失不足5%。粗銦真空蒸餾精煉可取代化學(xué)法除鎘、鉈，減少試劑消耗和中間渣，同時(shí)因脫除了大部分的鋅鉛鉍等亦可減少電解時(shí)電解液的凈化量。
電解精煉法
現(xiàn)在我國(guó)大多數(shù)廠家都采用多次電解精煉法生產(chǎn)5N的高純銦。電解精煉與銦提取的電解過(guò)程相同，在電解過(guò)程中Cd、T、Sn、Pb等元素化學(xué)電位與面前的電位相近，因此最難除去，必須通過(guò)控制電解液的組分來(lái)進(jìn)行精煉提純。單解之前進(jìn)行化學(xué)清洗，如采用甘油碘化鉀法除去Cd、TI或甘油NH4Cl和Zncl2 的方法除鉈。
定向凝固法
定向凝固又稱順序凝固，是利用主金屬銦和雜質(zhì)的熔點(diǎn)(凝固點(diǎn))不同。把鋼全部熔化后放入狹長(zhǎng)的舟皿中，再控制一定的溫度，讓它從一端向另一端涼漸冷凝，使雜質(zhì)富集在端部從而提純金屬銦的一種方法。金屬銦與雜質(zhì)的熔點(diǎn)相差越大，分離效果越好。
區(qū)域熔煉法
區(qū)域熔煉法實(shí)質(zhì)是在定向凝固法的基礎(chǔ)上改進(jìn)而成，利用雜質(zhì)在固相和液相平衡濃度的差異，在反復(fù)熔化和凝固過(guò)程中雜質(zhì)偏析到固相或液相中而得以除去，將金屬銦提純。這種方法還可將金屬制備成晶體完整、成分和外形均勻、直徑大體相等的單晶Ch6.71。區(qū)域熔煉法可使不能和銦起作用的雜質(zhì)，如B、Au、Ag、Ni等除去。但S、Se、Te等對(duì)銦具有更高的親和力，不能用區(qū)域熔煉法分離。
熔鹽電解精煉法
熔鹽電解精煉法是以熔融鹽類(lèi)為電解質(zhì)(氯化物、氟化物和氯氟化物體系)進(jìn)行金屬提純的電化學(xué)冶金方法。熔鹽比水溶液具有更好的導(dǎo)電性，熔鹽電解所用的電流密度可以比水溶液電解大100倍。
在氯化物熔鹽薄層中對(duì)銦進(jìn)行電化學(xué)精煉，其與在水溶液中電解精煉法相比，熔鹽電解精煉法中銦是以一價(jià)離子在陽(yáng)極上溶解并在陰極上沉積的。用40%ZnCl+35%InCl+25%LiCl熔體進(jìn)行薄層電解精煉后，再在ZnCl2-InCl-LiCl熔鹽中于220~250℃和0.25A/cm2的電流密度下再次電解精煉，銦產(chǎn)品中所有的雜質(zhì)含量均能達(dá)到高純銦的要求。
用以上方法中的任何一種都不能獲得大多數(shù)雜質(zhì)含量少于0.001~0.1μg/8 的金屬銦，高純銦的制備必須綜合多種提純方法。常采用包括低鹵化合物法一電解精煉——真空蒸餾法的聯(lián)合工藝，該方法具有很大的發(fā)展前景。采用這種工藝方法獲得了高質(zhì)量高純銦產(chǎn)品，如“真空蒸餾一電解精煉一拉單晶”或“真空蒸餾一區(qū)域精煉”工藝制備高純銦。
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