「設備用途」

采用物理冶金提純法，主要用于冶金級工業(yè)硅粉的提純，用以制備太陽能級多晶硅原材料。

設備參數(shù)：

產品型號VEBZ-2

主真空室臥式圓筒型真空室，尺寸φ1000×2000mm，雙層水冷。

主真空室真空獲得系統(tǒng)擴散泵，羅茨泵，機械泵，高真空氣動擋板閥。

極限真空度6.6×10-3Pa(冷態(tài))，漏率：≤1×10-7Pa.L/s;壓升率：1.33Pa./h。

雙槍電子束系統(tǒng)電子槍漏率：≤1×10-7Pa.L/s;工作真空度6.6×10-1Pa-6.6×10-3Pa.(用戶可自己提供)。

加料系統(tǒng)加料倉設有電動給料裝置，硅料塊直徑不大于30mm，加料倉下面設有電動進料裝置，每次加料量為2kg硅料。加料倉和進料機構之間設有電動閘板閥，采用獨立真空獲得系統(tǒng)。

澆鑄系統(tǒng)設有一套翻轉同軸電極。

出料系統(tǒng)出料倉尺寸立式U型：φ600×1000，雙層水冷，獨立真空獲得系統(tǒng)。

料框升降機構液壓升降機構。

水冷銅結晶器內部尺寸：φ300×800。