設(shè)備用途

主要用于在硅片(或玻璃片)表面制備金屬薄膜(A I 、Ag 、Ni 、Cu、Ti 、Pd等)，及有機(jī)薄膜，并能升級(jí)實(shí)現(xiàn)反應(yīng)濺射。模塊式設(shè)計(jì)，可根據(jù)實(shí)際需求和功能，組合成型。

主要技術(shù)指標(biāo)：

真空指標(biāo)極限真空度：≤8x10-6Pa (經(jīng)烘烤除氣后);

系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S;

系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充干燥氮?dú)夂?，再開(kāi)始抽氣，40分鐘可達(dá)到6.6x10-4 Pa;

停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度：≤15Pa;

真空室真空室為帶冷卻水道的方形真空室，壁掛防污板，選用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造，氬弧焊接，表面進(jìn)行特殊工藝拋光處理，接口采用金屬墊圈密封或氟橡膠圈密封。

磁控靶矩形靶材尺寸約450 X 75 mm, 靶上面有一套自動(dòng)擋板;射頻濺射與直流濺射兼容，靶內(nèi)有水冷;

蒸發(fā)源有機(jī)蒸發(fā)源、金屬蒸發(fā)源可選

樣品最大300 mm X 300 mm玻璃片或硅片，加熱最高溫度 350°C±1°C;

真空獲得及測(cè)量分子泵+機(jī)械泵或冷泵+干式泵，數(shù)顯復(fù)合真空計(jì)(皮拉尼規(guī)+電離規(guī))

配套電源直流電源、射頻電源、直流脈沖電源

氣路三路進(jìn)氣，質(zhì)量流量計(jì)控制

控制系統(tǒng) 手動(dòng)或自動(dòng)

工作壓力控制系統(tǒng)手動(dòng)或自動(dòng)

水冷機(jī)組可選