硅片厚度測量

簡要描述：硅片厚度測量儀采用的是近紅外光(NIR)來測量膜層厚度，因此可以測試一些肉眼看是不透明的膜層(比如半導體膜層)。

硅片厚度的測量方法也有多種，常見的包括：

1、光學顯微鏡法：通過光學顯微鏡觀察硅片的表面，利用尺度刻度或者測距尺來測量硅片的厚度。

2、原子力顯微鏡法：利用原子力顯微鏡對硅片表面進行掃描，可以直接測量硅片的厚度。

3、橢偏測量法：利用硅片對偏振光的旋光效應，通過測量光的偏振態(tài)變化來確定硅片厚度。

4、X射線熒光光譜法：通過X射線熒光光譜儀測量硅片的元素成分，從而間接推斷硅片的厚度。

5、激光測量法：利用激光測量儀器對硅片表面進行掃描，通過測量激光的反射或散射來確定硅片的厚度。

6、超聲波測量法：通過超聲波測量儀器對硅片進行超聲波傳播速度的測量，從而計算硅片的厚度。

不同的方法適用于不同的硅片厚度范圍和精度要求，具體選擇取決于實際需求和實驗條件。

滿足薄膜厚度范圍從15nm到3mm的先進厚度測試系統(tǒng)

F3-sX家族利用光譜反射原理，可以測試眾多半導體及電解層的厚度，可測最大厚度達3毫米。此類厚膜，相較于較薄膜層表面較粗糙且不均勻，F(xiàn)3-sX系列配置10微米的測試光斑直徑因而可以快速容易的測量其他膜厚測試儀器不能測量的材料膜層。而且能在幾分之一秒內(nèi)完成。

波長選配

F3-sX采用的是近紅外光(NIR)來測量膜層厚度，因此可以測試一些肉眼看是不透明的膜層(比如半導體膜層)。980nm波長型號，F(xiàn)3-s980，專門針對低成本預算應用。F3-s1310針對于高參雜硅應用。F3-s1550則針對較厚膜層設計。