樣品名稱 進(jìn)口硒化鍺GeSe晶體 性質(zhì) 半導(dǎo)體帶隙 待實(shí)驗(yàn)確定 參數(shù) 純度：＞99.995%尺寸：:~8mm，其他尺寸可定制顏色：黑色 應(yīng)用 半導(dǎo)體電子器件，傳感器-探測(cè)器，非線性光學(xué)，STM-AFM實(shí)驗(yàn)，光學(xué)器件等研究  單晶 GeSe (Germanium Diselenide) 是利用我們實(shí)驗(yàn)室技術(shù)生長。我們生長的每塊單晶耗時(shí)3個(gè)月左右以保證我們?yōu)槟峁┚Ц竦膯尉АＣ繅K單晶都是有很好的結(jié)晶性，分子層間距有較弱的范德華作用力，層狀結(jié)構(gòu)以保證易于剝離。單層GeSe具有具有很好的光學(xué)性質(zhì)，機(jī)械性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì)。 我們實(shí)驗(yàn)室有著進(jìn)5年的單晶生長經(jīng)驗(yàn)，每塊晶體都有很好的可重復(fù)性。單晶 GeSe塊體的尺寸可以達(dá)到10mm級(jí)別，純度可以達(dá)到99.995% 甚至更高的純度。單 晶 GeSe 沒有其他的雜相，沒有其他的非晶相。我們的GeSe單晶具有很大的晶疇，可以得到很大的單層。 另外我們還提供免費(fèi)的機(jī)械剝離和轉(zhuǎn)移技術(shù)。