In、Nb共摻雜的ZnO基透明導(dǎo)電薄膜及其制備方法,該方法屬于功能材料領(lǐng)域。靶材是由高純In2O3、Nb2O5和ZnO粉末混合固相燒結(jié)的陶瓷靶。將In、Nb共摻雜ZnO的陶瓷靶和清洗過的襯底放入脈沖激光沉積裝置的生長室中,通過調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù),利用脈沖激光沉積法在不同襯底上,制備出光電性能優(yōu)良的In、Nb共摻雜的ZnO基透明導(dǎo)電薄膜。本發(fā)明簡化了鍍膜工藝,電子濃度可以可以通過調(diào)節(jié)靶材中的In、Nb含量控制;實(shí)現(xiàn)了多元金屬陽離子在同一靶材上的同時(shí)摻雜;制備的In、Nb共摻雜的ZnO基透明導(dǎo)電薄膜具有優(yōu)良的光電性能,電阻率為10-3-10-4Ω·cm,可見光平均透射率超過了87%。該方法所制備的透明導(dǎo)電薄膜在太陽能電池和新型光電器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。