本發(fā)明公開了一種基于納米ZnO?rGO復(fù)合材料的光電導(dǎo)型紫外探測(cè)器，該紫外探測(cè)器依次有低阻Si層、SiO2絕緣層、納米ZnO?rGO旋涂層和Al電極。其制備方法如下：先采用溶劑熱法制備ZnO納米顆粒，用APTES對(duì)ZnO納米顆粒進(jìn)行表面改性，再用水熱法制備ZnO?rGO復(fù)合物，然后將復(fù)合物溶液旋涂在Si/SiO2的SiO2面上，再在旋凃?qū)颖砻驽兩螦l電極獲得紫外探測(cè)器。相比基于納米ZnO的紫外探測(cè)器，本發(fā)明的紫外探測(cè)器暗電流低，光電流、響應(yīng)度、靈敏度都得到較大提升，且該方法制備的器件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、方法簡(jiǎn)單易行、成本低、適合大面積制備，在軍事、民用以及一些特殊領(lǐng)域有重要的應(yīng)用價(jià)值和良好的應(yīng)用前景。