本發(fā)明涉及一種復(fù)合材料表面SiC涂層的制備方法，屬于氧化防護技術(shù)領(lǐng)域。將硅粉包埋于碳化硅基復(fù)合材料表面，高溫真空熔滲，使復(fù)合材料包埋于熔體之中；然后將包覆熔體的復(fù)合材料置于過量碳源之中，再次高溫熱處理。清理表面殘渣后即可得到含有SiC涂層的復(fù)合材料。本發(fā)明采用反應(yīng)熔滲法制備涂層，可實現(xiàn)制備涂層的同時進一步提高基材的致密度；通過碳源去除多余熔體，可形成均勻平整的SiC涂層。