本發(fā)明涉及一種凈尺寸C/SiC陶瓷基復合材料的制備方法。所述制備方法包括：(1)提供碳/碳基體；(2)對所述碳/碳基體進行超聲干燥潔凈處理，并將ZrC?ZrB₂噴涂劑噴涂于所述碳/碳基體表面，得到多孔碳/碳復合材料；(3)以硅合金為反應物，采用反應熔滲法將所述多孔碳/碳復合材料制成凈尺寸C/SiC陶瓷基復合材料。該制備方法通過利用ZrC、ZrB₂與硅的熱膨脹系數(shù)相差較大的特點，使得在材料表面殘留堆積的硅呈現(xiàn)疏松多孔結構，借助于簡單打磨，可獲得凈尺寸成型的C/SiC陶瓷基復合材料，從而減少后續(xù)機械加工，有效降低成本，解決了傳統(tǒng)反應熔滲法制備C/SiC陶瓷基復合材料表面殘留合金較多的問題。