本發(fā)明提供一種多孔硅基CdS量子點
復(fù)合材料的制備方法,經(jīng)硅片的預(yù)處理、腐蝕液的配制、
電化學(xué)腐蝕得到多孔硅、清洗多孔硅片、表面氧化處理、巰基嫁接、鎘離子螯合、CdS量子點的形成,得到多孔硅基CdS量子點復(fù)合材料。所得多孔硅基CdS量子點復(fù)合材料的激發(fā)光源波長在300~400nm之間,復(fù)合材料發(fā)光的范圍屬于可見光期間350~700nm之間,發(fā)光形式為熒光發(fā)光和光致冷發(fā)光兩種。本發(fā)明涉采用陽極腐蝕法制備多孔硅,并在多孔硅表面嫁接對鎘離子具有螯合功能的官能團,在含硫氣氛中將鎘離子作用生成CdS量子點以制備出具有發(fā)光特性的孔硅基/CdS量子點復(fù)合材料。
聲明:
“多孔硅基CdS量子點復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)