本發(fā)明提供了一種用于陶瓷基復合材料基體的環(huán)境障礙涂層及制備方法，該環(huán)境障礙涂層的底層選用化學氣相沉積SiC涂層(過渡層)，面層用等離子噴涂硅酸釔和/或莫來石涂層。SiC底層與陶瓷基復合材料基體有著極為接近的熱膨脹系數(shù)，避免了涂層自基體開裂、剝落現(xiàn)象；面層材料選用硅酸釔摻雜莫來石材料，自內而外逐漸增加莫來石粉末材料比重，硅酸釔材料具有與SiC結合力強，與SiC熱膨脹系數(shù)匹配，低揮發(fā)率，低氧氣滲透率等特點，避免了涂層在底層-面層界面發(fā)生開裂而失效，而莫來石材料具有抗沖刷性好，熱穩(wěn)定性高等優(yōu)點，可以勝任在高溫環(huán)境下工作。