本發(fā)明涉及一種N摻雜多壁
碳納米管修飾的SiC
復(fù)合材料及其制備方法,所述制備方法包括使用的SiC來源于
太陽能電池硅片切割廢料中的SiC基混合物,SiC基混合物還原后,經(jīng)過熱處理,然后在一定溫度下引入氮源,以制得N摻雜多壁碳納米管修飾的SiC復(fù)合材料。本發(fā)明充分利用了太陽能電池硅片切割工藝中產(chǎn)生的工業(yè)廢料中的SiC,對(duì)其進(jìn)行修飾后得到N摻雜多壁碳納米管修飾的SiC復(fù)合材料,結(jié)合SiC和氮摻雜碳納米管各自的優(yōu)勢,有效改善了SiC比表面積低問題,并且可以宏量制備,制備方法簡單,成本非常低。
聲明:
“N摻雜多壁碳納米管修飾的SiC復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)