本發(fā)明公開了一種基于柔性碳基底的NiAlV三元金屬氫氧化物納米片陣列
復(fù)合材料及其制備方法,該納米片陣列附著在柔性碳基底上,NiAlV三元金屬氫氧化物中,V本身為多價(jià)態(tài)金屬離子,通過將V摻雜在Ni、Al二元金屬氫氧化物中,調(diào)控整個材料的電子態(tài)結(jié)構(gòu),增強(qiáng)材料的導(dǎo)電性;引入柔性碳基底,因?yàn)樘蓟拙哂袑?dǎo)電性,使得柔性碳基底作為導(dǎo)電基層,保證了
電化學(xué)過程中電子的快速傳輸,使該材料具有優(yōu)異的導(dǎo)電性能,表現(xiàn)出優(yōu)異的電催化析氧性能,同時,很好地解決了雙金屬氫氧化物導(dǎo)電性差、易脫落、持續(xù)穩(wěn)定性差等問題;本發(fā)明制備工藝簡單,流程短,安全易操作,僅在水熱條件即可制得基于柔性碳基底的NiAlV三元金屬氫氧化物納米片陣列復(fù)合材料。
聲明:
“基于柔性碳基底的NiAlV三元金屬氫氧化物納米片陣列復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)