本發(fā)明公開一種硅納米線—聚吡咯復(fù)合材料的制備方法，以硝酸銀和氫氟酸對(duì)單晶硅片進(jìn)行金屬輔助化學(xué)刻蝕，以在單晶硅片形成垂直于表面的硅納米線，然后在單晶硅片表面旋涂十二烷基苯磺酸和過硫酸銨的混合溶液，再置于密閉聚合裝置中，吡咯單體溶液的上方，抽為負(fù)壓進(jìn)行聚合，以得到硅納米線—聚吡咯復(fù)合材料。本發(fā)明克服傳統(tǒng)液相化學(xué)聚合法和電化學(xué)制備方法的諸多缺點(diǎn)，制備方法簡(jiǎn)單，成本低廉，功耗低，合成的聚吡咯薄膜致密均勻，利用本發(fā)明方法構(gòu)筑的聚吡咯表面修飾一維硅基氣敏材料對(duì)特定氣體具有高的室溫靈敏度和快速響應(yīng)恢復(fù)性能。