本發(fā)明涉及一種通過超高溫陶瓷粉基體改性制備超高溫陶瓷基復(fù)合材料的方法。本發(fā)明采用真空壓力浸漬法在30%vol-40vol%氣孔率C/SiC中引入超高溫陶瓷（UHTC）粉體和碳有機(jī)前驅(qū)體，結(jié)合反應(yīng)熔體滲透法（RMI）使熔融硅和基體中裂解碳原位反應(yīng)生成SiC并使材料致密化，制備C/SiC-UHTC復(fù)合材料。采用30vol%-40vol%氣孔率C/SiC作為預(yù)制體，一方面SiC基體在RMI過程中保護(hù)纖維不受熔融硅侵蝕以提高材料的力學(xué)性能，另一方面可以在預(yù)制體中引入一定量的UHTC粉體提高抗燒蝕性能。