本發(fā)明涉及用振動(dòng)加速沉降技術(shù)制備SiCp/Al電子封裝零件的方法，屬于電 子封裝零件制備技術(shù)領(lǐng)域。以SiCp/Al復(fù)合材料為原料，將熔融SiCp/Al復(fù)合材 料澆注入成型模具中并保溫，采用振動(dòng)激勵(lì)加速沉降高溫SiCp/Al復(fù)合材料熔體 中的SiC顆粒到熔體下部，冷卻凝固后切割掉位于鑄件上部的完全由Al-Si合 金構(gòu)成的部分，制備出體積分?jǐn)?shù)為45～70％的SiCp/Al電子封裝零件，所述零件 的材料具有高熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)、SiC顆粒分布均勻和高致密度的特點(diǎn)，并 且制備過程中工藝和設(shè)備簡(jiǎn)單、制備周期短、能凈終成形，有成本低、孔隙率 低和材料性能好的優(yōu)點(diǎn)。