本發(fā)明公開了一種制備中空多孔的復(fù)合硅碳材料的方法，以氧化亞銅作為犧牲模板，在氧化亞銅包覆的納米硅顆粒表面生長三維類沸石咪唑框架，同步刻蝕掉氧化亞硅后即得到中空多孔、蛋黃-外殼三維結(jié)構(gòu)的硅碳復(fù)合材料。本發(fā)明制備的中空多孔的硅碳材料在熱解碳外殼的內(nèi)部預(yù)留出了給納米硅顆粒膨脹收縮的空間，既保證了納米顆粒不會團聚，也使得SEI大部分形成于碳殼之外，較為穩(wěn)定，并且ZiF-8熱解形成碳殼具有大量空洞，有利于材料的倍率性能。對比已報道的合成硅碳復(fù)合材料的方法，本方法的優(yōu)勢在于合成方法簡單，原料廉價易得，制備的中空多孔的硅碳材料擁有較好的循環(huán)性能與比容量。