本發(fā)明屬于
復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域,涉及復(fù)合光電極的制備,尤其涉及一種Ni?MOF衍生的NiO/BiVO4復(fù)合光電極的制備方法,將2?甲基咪唑加入到Ni(NO3)2·6H2O的去離子水溶液中,攪拌均勻得Ni?MOF溶液,其中所述2?甲基咪唑、Ni(NO3)2·6H2O和去離子水的質(zhì)量體積比為0.5~0.8g:0.1~0.4g:30mL;將負(fù)載有BiVO4的FTO片浸入Ni?MOF溶液中,浸泡1~8min后取出,用去離子水洗凈,300~500℃煅燒1~3h,即得。通過簡易的攪拌法、浸泡法和煅燒處理三個(gè)步驟合成NiO/BiVO4復(fù)合光電極,Ni?MOF衍生的NiO薄膜復(fù)合在BiVO4光電極表面,能夠有效地增強(qiáng)NiO/BiVO4復(fù)合光電極電荷轉(zhuǎn)移,提高e??h+分離效率,提升NiO/BiVO4復(fù)合光電極的光電轉(zhuǎn)換效率和PEC性能。所制備的NiO/BiVO4復(fù)合光電極在環(huán)境、能源等領(lǐng)域具有良好應(yīng)用前景。
聲明:
“MOF衍生的NiO/BiVO4復(fù)合光電極制備方法及其光電應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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