本發(fā)明涉及直拉法(CZ法)晶體生長法。指晶體生長的一種方法,用來獲取半導體(如硅、鍺、砷化鎵)、金屬(鈀、鉑、銀、金)、鹽,或者是合成寶石的單晶。也稱切氏或者柴氏法,由波蘭科學家切克勞斯基于1916年研究金屬的結晶速率時發(fā)明的。本發(fā)明旨在在爐室內(nèi)取消或者減少使用的石墨和碳碳
復合材料,以減少像對應的各種污染。使用陶瓷非金屬材料來加工直拉爐的爐室,爐膛,隔熱材料或者其他位于爐室內(nèi)的內(nèi)件。
聲明:
“新型的低沾染,免耗材的直拉爐設計” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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