本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體集成光電子器件技術(shù)領(lǐng)域,提供一種三維楔形鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)裝置。該三維楔形鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)裝置,自下而上包括依次層疊設(shè)置的襯底層、絕緣層和鈮酸鋰層,鈮酸鋰層包括楔形層和平板層,楔形層包括楔形尖端和楔形尾端,楔形尖端用于匹配光纖模場(chǎng),楔形尾端用于連接器件功能區(qū)域。其中,楔形尖端的厚度小于楔形尾端的厚度,楔形尖端的寬度遠(yuǎn)小于楔形尾端的寬度和平板層的寬度。本申請(qǐng)?jiān)趯?shí)現(xiàn)水平方向波導(dǎo)模場(chǎng)擴(kuò)展的基礎(chǔ)上,進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了垂直方向波導(dǎo)模場(chǎng)的擴(kuò)展,從而實(shí)現(xiàn)與光纖模場(chǎng)的更進(jìn)一步匹配,獲得更高的纖芯耦合效率。
聲明:
“三維楔形鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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