本發(fā)明提供一種能夠?qū)Υ笕萘夸嚩坞姵靥峁┖线m的電極的硅膜及其簡便的制造方法。一種硅膜，其具有柱狀集合體，所述柱狀集合體是由Si或Si化合物構(gòu)成的柱狀結(jié)構(gòu)體的集合體。上述硅膜的柱狀結(jié)構(gòu)體的直徑為10～100nm，膜厚為0.2～100μm。一種硅膜的制造方法，其是使用由Si或Si化合物構(gòu)成的蒸鍍源在基板上蒸鍍硅膜的硅膜的制造方法，蒸鍍源的溫度為1700K以上，基板溫度比蒸鍍源的溫度低，并且蒸鍍源的溫度與基板溫度之差為700K以上。上述硅膜的制造方法，其中，蒸鍍源與基板之間的距離(D)比從基板的垂直方向所看到的基板的最小徑(P)小。一種具有上述硅膜的電極。一種具有上述電極作為負(fù)極的鋰二次電池。