本發(fā)明屬于半導(dǎo)體薄膜晶體管制備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種基于超薄氧化鋰高k介電層薄膜晶體管的制備方法，選用低阻硅作為基底和柵電極，采用熱退火的方式制備超薄Li2O柵介電層和高透過(guò)率、化學(xué)穩(wěn)定性良好的In2O3半導(dǎo)體溝道層，進(jìn)一步制備高性能、低能耗的TFT器件；其工藝簡(jiǎn)單，原理可靠，低成本，能耗少，制備的產(chǎn)品性能好，應(yīng)用前景廣闊，為大面積制備高性能的薄膜晶體管提供可行性方案。