一種碳包覆氧化亞硅負(fù)極材料，包括氧化亞硅顆粒和包覆在氧化亞硅顆粒表面的碳層，碳包覆氧化亞硅負(fù)極材料的碳含量為3wt％?6wt％，比表面積為1.5?2.5m2/g。其制備方法為：先通過低溫CVD氣相法在氧化亞硅表面沉積碳，然后進(jìn)行高溫歧化，得到碳包覆氧化亞硅負(fù)極材料。本發(fā)明在制備碳包覆氧化亞硅負(fù)極材料的過程中，通過先低溫包覆再高溫歧化，氧化亞硅基體與碳層之間空隙可有效緩沖材料體積膨脹，從而有效改善材料充放電時(shí)體積膨脹問題。相對于先高溫歧化再進(jìn)行沉積包覆，本發(fā)明的材料中硅化合價(jià)由0價(jià)轉(zhuǎn)變?yōu)?4價(jià)時(shí)，在材料質(zhì)量不變的情況下，密度會發(fā)生變化，相應(yīng)體積也會收縮，形成微孔，從而改善電池的體積膨脹問題。