提供了一種由揮發(fā)可忽略的同成分熔融的化合物生長晶體的方法。對(duì)一個(gè)或多個(gè)晶體的組分進(jìn)行測(cè)量。對(duì)晶體組分從同成分的偏離進(jìn)行確定。對(duì)初始熔體組分和與所述偏離相應(yīng)的源材料組分修正進(jìn)行確定。利用所述組分修正生長晶體以生產(chǎn)用于表面聲波襯底制造的可再現(xiàn)材料。
聲明:
“具有窄的表面聲波屬性分布的鈮酸鋰晶片” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)