本實(shí)用新型公開(kāi)了一種雙MOS的MOSFET結(jié)構(gòu)包括自下而上依次設(shè)置的襯底、外延層、外延層表面注入雜質(zhì)形成的溝道區(qū)以及鈍化層，所述溝道區(qū)和外延層內(nèi)設(shè)有填充有多晶硅的溝槽，所述鈍化層內(nèi)淀積有形成第一MOS單元的源極和柵極的第一頂層金屬和第二MOS單元的源極和柵極的第二頂層金屬。本實(shí)用新型將第一MOS單元和第二MOS單元集成在同一MOSFET結(jié)構(gòu)中，節(jié)省了芯片版圖設(shè)計(jì)時(shí)中間劃片槽的面積，從而減小了芯片整體的面積，降低了芯片成本。