本發(fā)明了提供蝕刻硅以形成柱體的方法,所述柱體尤其用作Li離子電池中的活性陽(yáng)極材料,該方法在工業(yè)規(guī)模下的運(yùn)行簡(jiǎn)單,因?yàn)槠涫褂脙H含少量需要控制濃度的成分的蝕刻浴,并且其在運(yùn)行上比之前的方法廉價(jià)。該蝕刻溶液包含:5至10M、例如6至8M?HF,0.01至0.1M?Ag+離子,0.02至0.2M?NO3-離子,和任選地,SiF62-離子,堿金屬或銨離子,和附帶的添加物和雜質(zhì)。在蝕刻過程中追加NO3-離子,例如以堿金屬或銨的硝酸鹽形式添加,以使硝酸根離子濃度保持在上述范圍內(nèi)。