LiNbO3/III族氮化物異質(zhì)結(jié)鐵電半導(dǎo)體薄膜制備方法，采用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積方法在(0001)面藍(lán)寶石襯底上先生長AlN/AlGaN等異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料作為緩沖層或復(fù)合襯底；然后在此緩沖層采用高純5N的鐵電材料作為靶材，用脈沖激光沉積方法在所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)緩沖層或復(fù)合襯底上獲得高質(zhì)量鐵電材料薄膜；控制生長腔的真空在10－3Torr以上；將襯底溫度升至300－900度，然后向腔內(nèi)通入高純氧，氧壓控制在5－90帕；調(diào)整激光器頻率設(shè)置為5HZ，能量為300mJ，并預(yù)先將激光預(yù)濺射靶材3－5分鐘，清潔襯底表面的污染；最后，將脈沖激光聚焦于靶材上，打開靶源在異質(zhì)結(jié)構(gòu)復(fù)合襯底生長LiNbO3/III族氮化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)鐵電半導(dǎo)體薄膜。