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作為半導(dǎo)體外延薄膜生長用襯底的方鐵礦結(jié)構(gòu)氧化物

947   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 23:00:31
本發(fā)明涉 及作為Ⅲ-Ⅴ族氮化物 半導(dǎo)體薄膜淀積用晶格 匹配襯底的改進(jìn)的方鐵 礦結(jié)構(gòu)氧化物。它包括鋰 鋁氧化物(LiAlO2)、鈉鋁 氧化物(NaAlO2)、鋰鎵氧 化物(GaAlO2)、鈉鎵氧化 物(NaGaO2)、鋰鍺氧化物 (Li2GeO3)、鈉鍺氧化物 (Na2GeO3)、鈉硅氧化物(Na2SiO3)、鋰磷氧化物(Li3PO4)、鋰砷 氧化物(Li3AsO4)、鋰礬氧化物(Li3VO4)、鋰錳鍺氧化物 (Li2MgGeO4)、鋰鋅鍺氧化物(Li2ZnGeO4)、鋰鎘鍺氧化物 (Li2CdGeO4)、鋰錳硅氧化物(Li2MgSiO4)、鋰鋅硅氧化物 (Li2ZnSiO4)、鋰鎘硅氧化物(Li2CdSiO4)、鈉錳鍺氧化物 (Na2MgGeO4)、鈉鋅鍺氧化物(Na2ZnGeO4)和鈉鋅硅氧化物(Na2ZnSiO4)。較佳的晶格匹配襯底還包括兩個或兩個以上上面所列改進(jìn)的方鐵礦結(jié)構(gòu)氧化物組成的混晶。而且,較佳的晶格匹配襯底包括所有用下述元素Be、B、N、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、In和Sb替代的改進(jìn)方鐵礦結(jié)構(gòu)氧化物及其它們的混晶。除了只能部分替代氧的N例外,其它元素都能夠部分替代上述方鐵礦結(jié)構(gòu)氧化物的陽離子。
聲明:
“作為半導(dǎo)體外延薄膜生長用襯底的方鐵礦結(jié)構(gòu)氧化物” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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