本發(fā)明涉及一種含N脒基硅化合物，依以下方法制備：(1)將碳二亞胺或其衍生物溶解在反應(yīng)溶劑中，在-78～0℃攪拌條件下加入烷/胺基鋰溶液，氨基吡啶或其衍生物與烷/胺基鋰的摩爾比為1:1～1.2；恢復到室溫后繼續(xù)攪拌反應(yīng)0.5～3小時，得到反應(yīng)混合物；(2)將步驟(1)得到的反應(yīng)混合物過濾，得到鋰鹽固體，將鋰鹽固體溶于有機溶劑，得到鋰鹽溶液；(3)在-78～0℃按照鋰鹽與含硅反應(yīng)物摩爾比1～4:1～1.1，向鋰鹽溶液中滴加含硅反應(yīng)物或其溶液，升至一定溫度反應(yīng)3～10小時；(4)將步驟(3)得到的反應(yīng)混合物進行過濾，濾液濃縮后結(jié)晶或減壓蒸餾得到含脒配體硅化合物。本發(fā)明所述化合物可以在集成電路生產(chǎn)中用于制備氮化硅、含碳氮化硅等薄膜。