本發(fā)明涉及一種易制備的可用做微電子材料的吡唑基Ge(Ⅱ)化合物,采用以下方法制備:(1)將吡唑或其衍生物溶解在反應(yīng)溶劑中,在-78~0℃攪拌條件下加入烷基鋰溶液中,吡唑或其衍生物與烷基鋰的摩爾比為1:1~1.2;恢復(fù)到室溫后繼續(xù)攪拌反應(yīng),得到反應(yīng)混合物;(2)將步驟(1)得到的反應(yīng)混合物過濾,得到鋰鹽固體,將鋰鹽固體與甲苯混合,得到鋰鹽的甲苯溶液;(3)在-78~0℃按照鋰鹽與二氯化鍺摩爾比2:1~1.1,將鋰鹽的甲苯溶液滴加到二氯化鍺的甲苯溶液中,升溫至室溫;(4)將步驟(3)得到的反應(yīng)混合物進(jìn)行過濾,所得濾渣進(jìn)行低溫結(jié)晶,得到所述的吡唑基Ge(Ⅱ)化合物。本發(fā)明合成方法簡(jiǎn)便、合成條件溫和,具有良好的成膜性能。
聲明:
“易制備的可用做微電子材料的吡唑基Ge(Ⅱ)化合物” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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