本發(fā)明提供的憶阻器的制備方法及憶阻器，屬于電子器件技術(shù)領(lǐng)域，以惰性金屬金和活潑金屬鋰作為憶阻器件的電極層，用以鋰鑭鋯鉭氧為代表的鋰基或鈉基固態(tài)電解質(zhì)作為阻變材料，以形成金(鉑金、鎢)/鋰基或鈉基(鋰鑭鋯鉭氧、鋰鉭磷氧)固態(tài)電解質(zhì)/鋰的三明治結(jié)構(gòu)，本發(fā)明使用了鋰基(鋰鑭鋯鉭氧、鋰鉭磷氧)或鈉基固態(tài)電解質(zhì)作為阻變材料，充分利用了鋰基或鈉基固態(tài)電解質(zhì)的各種電學(xué)性能，制備的憶阻器具有不同于其他憶阻器的特性，具備較高的器件開關(guān)比。本發(fā)明提供的憶阻器的制備方法，工藝簡單，成本低，具有良好的應(yīng)用前景，可用于芯片或者微型存儲器件。