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壓電氧化物單晶體的電荷抑制方法及設(shè)備

959   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 23:02:46
提供了一種處理方法,該方法可以在不損害壓電性的情況下抑制鉭酸鋰單晶體或鈮酸鋰單晶體的帶電。而且,提供了一種處理設(shè)備,該設(shè)備可以簡單且安全地運行該處理方法。其特征在于將鉭酸鋰單晶體或鈮酸鋰單晶體制成的晶片50,和包括堿金屬的還原劑60放置在處理容器2中,并將處理容器2內(nèi)部保持在200-1000℃的溫度和減壓條件下,由此還原晶片50。
聲明:
“壓電氧化物單晶體的電荷抑制方法及設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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