本發(fā)明公開了一種以氧化鋅制作裝置的方法，其選擇一鋁酸鋰基板，并在該鋁酸鋰基板上依序磊晶成長一氧化鋅緩沖層及一氮化鎵成核層，利用該氧化鋅與氮化鎵具有相似的纖維鋅礦結(jié)構，可以獲得高質(zhì)量氮化鎵，并以此磊晶后的GaN/ZnO/LiAlO2結(jié)構成長一多重量子井及一第一金屬電極層，再蝕刻去除該鋁酸鋰基板及該氧化鋅緩沖層，并在該氮化鎵成核層之下方成長一第二金屬電極層。藉此，利用單晶薄膜狀的氧化鋅緩沖層不僅可使氮化鎵成核層在鋁酸鋰基板上成功成長，且可降低氮化鎵的缺陷密度，進而達到近似晶格匹配并獲得良好的晶體接口質(zhì)量，以提升發(fā)光效率及后續(xù)完成的組件性能。