本發(fā)明涉及一種用作微電子相變存儲(chǔ)器的氨基吡啶Ge(Ⅱ)前質(zhì)體,該前質(zhì)體以氨基吡啶及其衍生物為配體,依以下方法制備:(1)將氨基吡啶及其衍生物溶解在反應(yīng)溶劑中,-78~0℃攪拌條件下加入烷基鋰溶液,氨基吡啶或其衍生物與烷基鋰摩爾比1.0:1.0~1.4,恢復(fù)室溫繼續(xù)攪拌,將Li配合物靜置待用;(2)將步驟(1)得到的Li配合物與甲苯混合,-78~0℃條件下以鋰鹽與金屬鍺摩爾比2.0:1.0~1.4滴加到二氯化鍺的乙醚溶液中,升溫至室溫;(3)將步驟(2)得到的混合物過濾濃縮,濾渣用二氯甲烷提取,收集濾液,-40~0℃低溫結(jié)晶,得到所述的氨基吡啶Ge(Ⅱ)前質(zhì)體。本發(fā)明合成方法簡單,制備的前質(zhì)體熱穩(wěn)定性高,揮發(fā)性好,成膜性能優(yōu)良,是制備相變存儲(chǔ)器潛在的重要前質(zhì)體。
聲明:
“用作微電子相變存儲(chǔ)器的氨基吡啶Ge(Ⅱ)前質(zhì)體及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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