本發(fā)明涉及光電芯片技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種混合集成光電芯片襯底結(jié)構(gòu)的制備方法及襯底結(jié)構(gòu)。方法包括：獲取絕緣體上硅襯底和絕緣體上鈮酸鋰薄膜襯底；絕緣體上硅襯底包括支撐層和鍵合層，鍵合層包括硅薄膜層，硅薄膜層設(shè)置在支撐層上；絕緣體上鈮酸鋰薄膜襯底包括鈮酸鋰薄膜層；將鈮酸鋰薄膜層與鍵合層鍵合得到復(fù)合鍵合結(jié)構(gòu)；去除復(fù)合鍵合結(jié)構(gòu)中的支撐層，暴露出硅薄膜層得到混合集成光電芯片襯底結(jié)構(gòu)。通過(guò)將絕緣體上硅襯底和絕緣體上鈮酸鋰薄膜襯底鍵合，得到性能優(yōu)異的混合集成光電芯片襯底結(jié)構(gòu)，從而能夠?qū)崿F(xiàn)性能更加優(yōu)秀的光電芯片的制備。