本發(fā)明公開了一種基于CMOS電路襯底的單晶薄膜的制備方法，包括：單晶晶圓片的離子注入；將單晶晶圓片的離子注入面與媒介晶圓片鍵合面鍵合后剝離獲得基于媒介晶圓片襯底的單晶薄膜；將媒介晶圓片上單晶薄膜表面與CMOS電路晶圓片鍵合；腐蝕剝離媒介晶圓片獲得基于CMOS電路襯底的單晶薄膜。通過將鈮酸鋰單晶薄膜在與CMOS電路鍵合前先鍵合在第三方襯底上，然后采用轉(zhuǎn)移的方法將鈮酸鋰單晶薄膜無損地鍵合在CMOS電路晶圓片上；使用薄膜轉(zhuǎn)移的方式在媒介襯底上提前對(duì)鈮酸鋰單晶薄膜進(jìn)行高溫退火工藝，然后將鈮酸鋰單晶薄膜轉(zhuǎn)移到目標(biāo)CMOS電路片晶圓片襯底上，可以減少對(duì)CMOS電路的損壞。