本實(shí)用新型公開了一種高速光調(diào)制器，包括：鈮酸鋰基底晶片、形成于鈮酸鋰基底晶片表面的脊形結(jié)構(gòu)、形成于基底晶片的表面且部分形成于脊形結(jié)構(gòu)中的光波導(dǎo)以及形成于鈮酸鋰基底晶片表面、脊形結(jié)構(gòu)的兩側(cè)的溝槽、放置于鈮酸鋰基底晶片的表面的緩沖層薄膜、放置于緩沖層薄膜上方金屬電極；本實(shí)用新型的有益效果在于：本實(shí)用新型提出的高速光調(diào)制器結(jié)構(gòu)具有更低的微波有效折射率、更高的電極阻抗和更高的電光調(diào)制效率，采用更小的電極間距和更薄的緩沖層薄膜，不僅可以實(shí)現(xiàn)高調(diào)制帶寬，還有利于實(shí)現(xiàn)半波電壓的降低。