本發(fā)明涉及一種基于提拉法的晶體生長界面形狀的探測方法，所述探測方法在晶體生長過程中，同時采集籽晶溫度T和界面電動勢U，獲取界面電動勢U隨籽晶溫度T變化的T?U曲線，通過觀測所述T?U曲線與基準線的偏差實時判斷晶體生長界面形狀的變化趨勢；所述基準線是經(jīng)過所述T?U曲線的起始點、斜率為所述晶體的塞貝克系數(shù)的直線。本發(fā)明還涉及所述方法使用的裝置。本發(fā)明所述的探測方法能在晶體生長過程中實時探測晶體生長界面形狀的變化趨勢，可以應(yīng)用于鈮酸鋰、鉭酸鋰、藍寶石、釔鋁石榴石等多種單晶的提拉法生長設(shè)備。