提供一種可以以低成本制造大型的碳化硅(SIC)單晶的制造方法。通過將硅(SI)和碳(C)溶解在堿金屬助熔劑中并使它們反應,使碳化硅單晶生成或生長。作為上述堿金屬,優(yōu)選為鋰(LI)。根據(jù)該方法,即使是在例如1500℃以下的低溫條件下,也可以制造碳化硅單晶。將通過本發(fā)明的方法得到的碳化硅單晶的一個例子顯示在圖3(B)的照片上。
聲明:
“碳化硅(SIC)單晶的制造方法以及通過該方法得到的碳化硅(SIC)單晶” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)