本發(fā)明涉及半導體基片技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種半導體功率芯片用金剛石單晶基片，包括以下步驟：1）將半導體材料加熱至4000攝氏度狀態(tài)，得到熔融半導體基片。該一種半導體功率芯片用金剛石單晶基片，通過在P型披覆層植入磷，N型披覆層植入鋇和鋰，并通過N型歐姆電極連接和P型歐姆電極與金剛石薄片連接，形成具有金剛石單晶PIN二極體的基片，植入磷的P型披覆層與植入鋇和鋰的N型披覆層形成性能相當?shù)目烧{(diào)式電子元件，并且通電產(chǎn)生的反應催生金剛石單晶，由于金剛石單晶這種材料具備超寬能隙，超過碳化硅與氮化鎵，它的超寬能隙可防止在高溫下產(chǎn)生熱量，即使在非常高的溫度和輻射強度下，金剛石單晶仍然保持透明，實現(xiàn)了具有極佳的散熱性能，提高了使用壽命和傳輸效率。