本發(fā)明公開了一種單晶單疇壓電薄膜及其制備方法，單晶單疇壓電薄膜依次包括單晶薄膜層、二氧化硅層、介質(zhì)層和單晶硅層；其中單晶薄膜層的材料為單晶鈮酸鋰或單晶鉭酸鋰；介質(zhì)層為單晶硅的損傷層、非晶硅或多晶硅；本發(fā)明的單晶單疇壓電薄膜的壓電系數(shù)為體材料的98%~100%，而采用現(xiàn)有技術(shù)的壓電系數(shù)為體材料的10~90%，單疇單晶薄膜在使用時(shí)壓電性能穩(wěn)定，機(jī)電耦合系數(shù)不會(huì)下降，器件帶寬寬、損耗低，一致性好；本發(fā)明的制備方法成本低、能耗低、效率高，適用于工業(yè)生產(chǎn)，成品率高；所得薄膜中數(shù)十納米的二氧化硅層都可以達(dá)到厚度可控、厚度偏差小、表面平整、均勻性好的效果，因而所得器件具有較好的一致性。