本發(fā)明是提供一種形成半導(dǎo)體元件及半導(dǎo)體影像感測(cè)器的方法,具體為改善介電層平坦度與均勻度以增強(qiáng)電荷耦合裝置與互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體影像感測(cè)器元件中光學(xué)效能的方法與系統(tǒng)。所述用以達(dá)到較佳光學(xué)效能的介電層平坦化方法是包含下列步驟。于多個(gè)金屬圖形之上及其周圍沉積一具有透光性的第一介電層,形成光學(xué)感測(cè)器于這些金屬圖形之間的基底內(nèi)或其上,其中金屬圖形可防止位于其間或其下的感測(cè)器遭受電磁輻射的影響。之后以化學(xué)機(jī)械研磨制程研磨第一介電層而制得一傾斜表面,再進(jìn)一步以平坦化制程消除此不均勻表面,最終得到一全面性均勻的介電層厚度以利感測(cè)器適當(dāng)?shù)剡\(yùn)作。
聲明:
“形成半導(dǎo)體元件及半導(dǎo)體影像感測(cè)器的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)