本發(fā)明能夠提供一種半導體器件的形成方法、鍺光電探測器的制備方法。該器件形成方法包括：提供半導體襯底，在該半導體襯底上形成二氧化硅層；刻蝕二氧化硅層，以在二氧化硅層上形成凹槽，并露出半導體襯底；在凹槽內通過外延生長的方式形成金屬鍺層，對金屬鍺層進行化學機械平坦化處理，以去掉凸出于二氧化硅層上的金屬鍺；通過負性光刻膠腐蝕掉化學機械平坦化處理過程中在金屬鍺層上表面形成的損傷層。本發(fā)明創(chuàng)新地在對金屬鍺層進行CMP工序后在鍺層上旋涂負性光刻膠，利用負性光刻膠的輕微腐蝕性較好地腐蝕掉拋光后的鍺損傷層，從而極大地提高金屬鍺層質量，進而明顯提高了器件的性能，而且具有工藝上易實現且投入成本低等優(yōu)點。