本發(fā)明公開了一種太赫茲超導相變邊緣探測器熱弱連接制備方法，即采用背向濕法刻蝕的方法實現(xiàn)熱弱連接。在該太赫茲超導相變邊緣探測器熱弱連接制備方法中，探測器被制備在三層結構的SOI基板正面，濕法刻蝕中，基板正面被保護膠保護的同時安裝在特殊設計的安裝模具中進行密封，保證基板背面與堿性溶液接觸。首先基板背面采用干刻法刻蝕掉SOI基板中氮化硅薄膜，形成需要濕法刻蝕的區(qū)域，再將基板浸入堿性溶液中，從基板背面濕法刻蝕掉基板中硅，形成熱弱連接的結構。本發(fā)明利用介質基片與特殊堿性溶液的化學反應，減薄輻射吸收體和測溫體背向的基片厚度，實現(xiàn)探測器的熱弱連接，提高探測器的探測靈敏度。