本發(fā)明公開聚吡咯表面修飾硅納米線氣敏元件及其應(yīng)用,利用化學(xué)刻蝕處理單晶硅片,以使單晶硅片表面產(chǎn)生垂直于單晶硅片表面的一維硅納米線陣列;將引發(fā)劑溶液和吡咯單體溶液先后旋涂在經(jīng)步驟2處理的單晶硅片,以使在一維硅納米線陣列中原位引發(fā)吡咯聚合成聚吡咯,形成具有聚吡咯表面修飾一維硅納米線陣列的單晶硅片,實現(xiàn)對NH3氣體在室溫下的瞬時檢測,并且具有良好的選擇性。
聲明:
“聚吡咯表面修飾硅納米線氣敏元件及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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