3N4/Mo:BiVO4與CuS器件制備,化學(xué)分析"> 3N4/Mo:BiVO4與CuS器件制備,本發(fā)明公開了一種基于g?C3N4/Mo:BiVO4結(jié)合CuS催化信號放大傳感器的制備方法,首先合成了具有良好光電化學(xué)信號的g?C3N4/Mo:BiVO4,由于Mo摻雜增加了BiVO4的載流子濃度,提高了載流子分離效率;同時(shí),g?C3N4負(fù)載到Mo:BiVO4形成異質(zhì)結(jié),使光生空穴從BiVO4產(chǎn)生并順利傳輸?shù)絞?C3N4,加速了電子和空穴的分離,有效抑制了載流子的復(fù)合;另外在二抗上面修飾了CuS?GR作為信號放大載體,一方面增加了傳感器的阻抗,引起光電信號的">

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基于g-C3N4/Mo:BiVO4與CuS器件制備

983   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:57:10
本發(fā)明公開了一種基于g?C3N4/Mo:BiVO4結(jié)合CuS催化信號放大傳感器的制備方法,首先合成了具有良好光電化學(xué)信號的g?C3N4/Mo:BiVO4,由于Mo摻雜增加了BiVO4的載流子濃度,提高了載流子分離效率;同時(shí),g?C3N4負(fù)載到Mo:BiVO4形成異質(zhì)結(jié),使光生空穴從BiVO4產(chǎn)生并順利傳輸?shù)絞?C3N4,加速了電子和空穴的分離,有效抑制了載流子的復(fù)合;另外在二抗上面修飾了CuS?GR作為信號放大載體,一方面增加了傳感器的阻抗,引起光電信號的減小,另一方面CuS作為一種p型半導(dǎo)體可以競爭吸收光能和競爭消耗溶液中的供電子試劑抗壞血酸,導(dǎo)致信號的減小,這種夾心型傳感器最終測的了滿意的檢測線。
聲明:
“基于g-C3N4/Mo:BiVO4與CuS器件制備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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