本公開的實施方式包括與處理用于制造III族金屬氮化物和鎵基襯底的材料的技術相關的技術。更具體地,本公開的實施方式包括用于使用處理技術的組合來生長大面積襯底的技術。僅以舉例的方式,本公開可應用于生長GaN、AlN、InN、InGaN、AlGaN和AlInGaN等的晶體以制造塊狀襯底或圖案化襯底。這種塊狀襯底或圖案化襯底可用于多種應用,包括光電器件和電子器件、激光器、發(fā)光二極管、
太陽能電池、光
電化學水分解和氫氣產生、光電檢測器、集成電路和晶體管等。
聲明:
“改進的III族氮化物襯底、制備方法和使用方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)