該發(fā)明涉及一種晶圓減薄機臺及晶圓減薄方法,其中所述晶圓減薄機臺包括:量測單元,用于量測晶圓的減薄程度以及量測晶圓表面的裂紋及變形;研磨單元,連接至所述量測單元,用于根據(jù)所述量測單元的量測結(jié)果研磨晶圓;CMP單元,連接至所述量測單元,用于根據(jù)所述量測單元的量測結(jié)果對晶圓進行化學機械研磨;裂紋及變形去除單元,連接至所述量測單元,用于根據(jù)所述量測單元的量測結(jié)果去除化學機械研磨后的晶圓表面的裂紋及變形。
聲明:
“晶圓減薄機臺及晶圓減薄方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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