通過在超導體層(410)上形成限定器件區(qū)域和器件區(qū)域內(nèi)的感測區(qū)域的第一抗蝕劑圖案來制造量子計算器件。去除感測區(qū)域內(nèi)的超導體層，從而暴露器件區(qū)域外部的下面的半導體層(340)的區(qū)域。對半導體層的暴露的區(qū)域進行注入，形成圍繞器件區(qū)域的隔離區(qū)域(240)。在注入之后使用蝕刻工藝，暴露感測區(qū)域和與隔離區(qū)域相鄰的超導體層的器件區(qū)域的部分。通過在感測區(qū)域內(nèi)沉積第一金屬層，形成隧道結柵極(204)。通過將半導體層與第二金屬層耦合來形成感測區(qū)域柵極(202)。還形成化學勢柵極(208，210)。使用所述第二金屬在感測區(qū)域外部的器件區(qū)域的部分內(nèi)形成納米棒觸點(206，212)。