本發(fā)明涉及一種用于在CVD反應(yīng)器(1)中的基材上沉積二維的層的方法，在所述方法中，借助輸入管路(10)將工藝氣體饋送到進(jìn)氣機(jī)構(gòu)(2)中，所述進(jìn)氣機(jī)構(gòu)具有通入處理室(3)中的排氣開口(14、14)，在所述方法中，工藝氣體或者所述工藝氣體的分解產(chǎn)物在所述處理室(3)中被帶至所述基材(4)的表面，并且在所述方法中，借助加熱裝置使所述基材(4)達(dá)到過程溫度(TP)，從而在所述工藝氣體進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)后在所述表面上形成二維的層。按照本發(fā)明，在將所述基材(4)加熱到過程溫度(TP)期間或者在將所述基材(4)加熱到過程溫度(TP)之后首先將所述工藝氣體的具有第一值(Q1)的氣體流饋送到所述處理室(3)中，其中，在所述基材(4)的表面上不發(fā)生層的生長，之后在觀測基材表面的情況下將工藝氣體的氣體流升高至第二氣體流(Q2)，在所述第二氣體流中開始層的生長，并且接著使工藝氣體的氣體流升高預(yù)設(shè)的值而升高至第三氣體流(Q3)，在所述第三氣體流時沉積層。在此通過觀測高溫計的測量曲線的在時間上的變化走向識別層的生長的開始。